SIS590DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N and P-Channel
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
Leistung – Max.: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8 Dual
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8 Dual