HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 218.7pF @ 25V
Leistung – Max.: 1.7W
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Basisproduktnummer: HTMN5130