Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 320mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
