PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: PN Junction Semiconductor
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 350A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 300A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 1000V
Leistung – Max.: -
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: Module