Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.8A, 8.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Leistung – Max.: 2W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
