Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 530A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 140mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 39600pF @ 800V
Leistung – Max.: -
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: Module
