WAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Serie: -
Paket: Box
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 630A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V
Leistung – Max.: -
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: -