APTM120H29FG Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: 4 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 34A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V
Leistung – Max.: 780W
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: SP6
Gerätepaket des Lieferanten: SP6
Basisproduktnummer: APTM120