MSCSM120TAM11CTPAG Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 251A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V
Leistung – Max.: 1.042kW (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: SP6-P
Basisproduktnummer: MSCSM120