FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC??
Paket: Tray
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Leistung – Max.: 20mW (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: AG-EASY2BM-2
Basisproduktnummer: FF6MR12