Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Leistung – Max.: 500mW
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten: UF6
Basisproduktnummer: SSM6N39
