NTE2960 NTE Electronics, Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 25V
Leistung – Max.: 40W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220 Full Pack