DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC??
Paket: Tray
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 50A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V
Leistung – Max.: 20mW
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: AG-EASY1BM-2
Basisproduktnummer: DF11MR12