Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 113A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 1000V
Leistung – Max.: 500W
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: SP3
Gerätepaket des Lieferanten: SP3
Basisproduktnummer: APTMC120
