Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Leistung – Max.: 700mW
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-VFDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: 6-HWSON
