MSCSM120HM31CT3AG Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: 4 N-Channel
FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 89A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
Leistung – Max.: 395W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: SP3F
Basisproduktnummer: MSCSM120