Menü

SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.8A, 5.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Leistung – Max.: 3W, 3.1W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOIC
Basisproduktnummer: SI4599

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}