SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion: Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Leistung – Max.: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PowerPair® (6x5)
Basisproduktnummer: SIZF920