Menü

QS8J2TR Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V
Leistung – Max.: 550mW
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten: TSMT8
Basisproduktnummer: QS8J2

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}