Menü

SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Arrays

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N and P-Channel
FET-Funktion: Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
Leistung – Max.: 1.15W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP
Basisproduktnummer: SI3552

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}