DMG4812SSS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1849 pF @ 15 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.): 1.54W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)