DMN55D0UT-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 160mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 200mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-523
Verpackung / Koffer: SOT-523
Basisproduktnummer: DMN55