APT1201R4BLLG Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: APT1201