APT6029BFLLG Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 21A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247 [B]
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: APT6029