STP65N045M9 STMicroelectronics Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 245W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: STP65N