IXFT80N65X2HV-TRL IXYS Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Ultra X2
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 890W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-268HV (IXFT)
Verpackung / Koffer: TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basisproduktnummer: IXFT80