IXFQ60N60X IXYS Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Ultra X
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 890W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Basisproduktnummer: IXFQ60