IPZA60R024P7XKSA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 101A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 291W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO247-4-3
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Basisproduktnummer: IPZA60