P3M06120T3 PN Junction Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: PN Junction Semiconductor
Serie: P3M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 29A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ)
Vgs (Max): +20V, -8V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 153W
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-2L
Verpackung / Koffer: TO-220-2