P3M06060K3 PN Junction Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: PN Junction Semiconductor
Serie: P3M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 48A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20mA (Typ)
Vgs (Max): +20V, -8V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 188W
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3L
Verpackung / Koffer: TO-247-3