P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: PN Junction Semiconductor
Serie: P3M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
Vgs (Max): +19V, -8V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 100W
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK-7
Verpackung / Koffer: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA