P3M06300K3 PN Junction Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: PN Junction Semiconductor
Serie: P3M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 904 nC @ 15 V
Vgs (Max): +20V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 38W
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3L
Verpackung / Koffer: TO-247-3