P1H06300D8 PN Junction Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: PN Junction Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs (Max): +10V, -20V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 55.5W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DFN8*8