IV1Q12050T4 Inventchip Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Inventchip
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 20 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 344W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4
Verpackung / Koffer: TO-247-4