P3M12017K4 PN Junction Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: PN Junction Semiconductor
Serie: P3M
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 151A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 75mA (Typ)
Vgs (Max): +25V, -10V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 789W
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4