Hersteller: CoolCAD
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 15 V
Vgs (Max): +15V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 100W (Tj)
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3