SUD35N10-26P-T4GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252AA
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: SUD35