IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??C6
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TSON-8-2
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: IPL65R650