AUIRF1010ZL Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 75A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 140W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-262
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA