FCPF260N60E Fairchild Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: SuperFET® II
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 36W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220F-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack