FQI7N60TU Fairchild Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I2PAK (TO-262)
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basisproduktnummer: FQI7N60