2SK3712-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252 (MP-3Z)
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63