FQPF8N80CYDTU Fairchild Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 59W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220F-3 (Y-Forming)
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads