PSMN3R3-40MLHX Nexperia USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 118A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 101W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK33
Verpackung / Koffer: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Basisproduktnummer: PSMN3R3