DMNH6009SPS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 37.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.6W
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerDI5060-8
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN