TK2Q60D(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: ?-MOSVII
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 60W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PW-MOLD2
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basisproduktnummer: TK2Q60