NVMFS5H663NLWFT1G onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Basisproduktnummer: NVMFS5