IRF6641TRPBF International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DIRECTFET??MZ
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric MZ
Basisproduktnummer: IRF6641