G400P06T Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: G
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 110W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3