IRF6714MTRPBF International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DIRECTFET??MX
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric MX